Средство рост Si 500 D плазма представляет собой самую передовую для плазмохимического осаждения диэлектрических пленок, а-Си, Зю, и других материалов. Он основан на ПЦА плазменного источника, разделенных газовых вводов для реакции газов, динамическим контролем температуры подложки электрода, полностью контролируемый вакуум...
Средство рост Si 500 D плазма представляет собой самую передовую для плазмохимического осаждения диэлектрических пленок, а-Си, Зю, и других материалов. Он основан на ПЦА плазменного источника, разделенных газовых вводов для реакции газов, динамическим контролем температуры подложки электрода, полностью контролируемый вакуум...
СИ 500 ППД представляет собой продвинутый инструмент для плазмохимического осаждения диэлектрических пленок, а‑Си, Зю, и других материалов. Он основан на плоскостной емкостный связанной плазмой источника вакуума loadlock, контролем температуры подложки электрода, дополнительно доступны низкой частоты перемешивания, полностью...
СИ 500 ППД представляет собой продвинутый инструмент для плазмохимического осаждения диэлектрических пленок, а‑Си, Зю, и других материалов. Он основан на плоскостной емкостный связанной плазмой источника вакуума loadlock, контролем температуры подложки электрода, дополнительно доступны низкой частоты перемешивания, полностью...